KOH腐蝕爐

                                                         koh腐蝕爐：應用氫氧化鉀（KOH）

必須做好安全防范koh刻蝕硅，KOH是微結構試驗室比較常見的刻蝕液之一，如單晶硅電池表面磨砂皮話解決、單晶硅片表面V型槽刻蝕、金字塔式或是倒金字塔結構刻蝕等運用。預防措施硅的刻蝕速度在不同溫度與刻蝕液濃度值下刻蝕速度是不一樣的。

根據FAS標準和料漿芯片的堿性溶液里的刻蝕速度隨著時間、溫度與不同類型的預清洗全過程的改變，數據顯示，氫氧化鉀濃度較大刻蝕率在20-30wt%上下。

通過23%氫氧化鉀濃度值處理表面的透射率比較低，而表面粗糙度比較好的表面的透射率比較低。

23%凈重濃度氫氧化鉀薄化拋光技術帶來了較平滑的表面，而且氫氧化鉀解決也帶來了相對較低的反射面。根據更改芯片的表面表面粗糙度來提高極少數使用壽命。

使用氫氧化鉀（KOH）腐蝕爐時必須做好安全防范，氧化鉀芯片氧化鉀(potassiumoxide)是堿性氧化物?；瘜W式為K2O,沒有顏色立方米結晶。相對密度2.32g/cm3,350℃溶解,易潮解,溶于水并跟水結合形成氫氧化鉀。

氫氧化鉀（KOH）有小塊和塊狀兩類，易溶于水釋放很多熱。

氫氧化鉀具有強烈腐蝕性。吸進后明顯刺激性呼吸系統甚至造成燒灼。和皮膚眼接觸可導致燒灼，一旦雙眼或肌膚接觸到氫氧化鉀，立即將負傷位置以水持續清洗15分鐘左右；內服會燒傷消化系統，可致命性。KOH濕法刻蝕在濕臺子上實際操作必須完備的個人防護設備（PVC罩衣、面具和長袖上衣膠手套）。

呼吸道安全防護：如果需要佩戴防毒面具。

雙眼安全防護：戴有機化學安全防護眼鏡。

防護衣：穿工作服裝(防腐涂料制做)。

手安全防護：戴橡皮手套（丁苯橡膠）。

其他：工作之后，淋浴間換衣。留意自己日常保潔。

泄漏應急處理

防護泄漏污染帶，周邊設警示標志，提議應急處理工作人員戴上防毒面罩，穿化學防護服。不必接觸泄漏物，用潔清鐵鏟搜集于干躁潔靜有蓋容器里，以小量添加很多水里，或進入二氧化碳或是弱酸性，調控至中性化，再倒入污水系統軟件。還可以用很多水清洗，或進入二氧化碳或是弱酸性，經溶解的洗滌放進污水系統軟件。如很多泄漏，搜集回收利用或沒害加工后廢舊

急救措施

肌膚接觸：立刻自來水清洗最少15min如果有條件用弱酸性清理傷口（如冰醋酸、硼酸溶液）。如有燒灼，就診醫治。

雙眼觸碰：馬上提到眼皮，用流動性冷水或生理鹽水沖洗最少15min?；蛘哂?%硼酸洗液清洗。就診。

吸進：快速擺脫當場至空氣清新處。如果需要開展心肺復蘇術。就診。

吃入：病人保持清醒時馬上漱口清潔，內服稀釋液的醋或檸檬水，就診。滅火方法：霧狀水、碎石土、二氧化碳。

應急處理：防護泄漏污染帶，限定進出。提議應急處理工作人員戴防塵口罩（全面罩），穿防毒服。勿使泄漏物與氧化劑、有機化合物、易燃物品或金屬粉觸碰。不必接觸泄漏物。少量泄漏：用干凈的鐵鏟搜集于干躁、清潔、有蓋容器里。很多泄漏：搜集回收利用或運到廢棄物處理場地處理。

氫氧化鉀腐蝕爐

KOH腐蝕爐詳細介紹

KOH腐蝕爐根據電機控制和溫度控制操作完成了對芯片在腐蝕過程的可靠性和精確性確保.KOH腐蝕爐廣泛應用于KOH腐蝕試驗，適合于對晶圓片進行加工、科學研究與使用等有關單位。

KOH腐蝕爐系統軟件由溫度控制器和腐蝕爐構成，考慮到腐蝕爐膛內很強腐蝕汽體蒸發，因此溫度控制器與爐殼中間根據手機充電線和加熱線聯接，維持約2米上下之間的距離，便于操作過程中的安全性。