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HVPE液相外延爐

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HVPE液相外延爐
簡介 : 本設備主要用于在藍寶石、碳化硅等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長、及AIN等外延生長
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產品詳情

        本設備主要用于碳化硅、藍寶石等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長、及AIN等外延生長。

技術指標:

工作溫度:200-1200℃                                       

結構方式: 水平/垂直,片數:1/3/6多片(科研/生產型)       

多溫區,動態高精度生長條件控制                             

低壓、常壓,微正壓工藝方式,襯底片升降、旋轉(厚膜/晶體生長)


產品特點:

l  工藝片尺寸     2/4英寸(1/3片)

l 使用溫度最高1200℃,控溫精度±1

l 溫區五溫區

l 襯底可采用旋轉方式,速度150/分鐘

l 氣體采用進口質量流量計控制

l 極限真空度≤1Pa

l 氣路系統漏氣率<2×10-9m3.Pa/S

l 襯底升降速率0.01700mm/h連續可調