本設備主要用于碳化硅、藍寶石等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長、及AIN等外延生長。

技術指標：

工作溫度：200-1200℃                                       

結構方式： 水平/垂直，片數：1/3/6多片（科研/生產型）       

多溫區，動態高精度生長條件控制                             

低壓、常壓，微正壓工藝方式，襯底片升降、旋轉（厚膜/晶體生長）

產品特點：

l 工藝片尺寸     2/4英寸（1片/3片）

l 使用溫度最高1200℃，控溫精度±1℃

l 溫區五溫區

l 襯底可采用旋轉方式，速度1～50轉/分鐘

l 氣體采用進口質量流量計控制

l 極限真空度≤1Pa

l 氣路系統漏氣率＜2×10-9m3.Pa/S

l 襯底升降速率0.01～700mm/h連續可調