本設備主要用于碳化硅、藍寶石等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長、及AIN等外延生長。
技術指標:
工作溫度:200-1200℃
結構方式: 水平/垂直,片數:1/3/6多片(科研/生產型)
多溫區,動態高精度生長條件控制
低壓、常壓,微正壓工藝方式,襯底片升降、旋轉(厚膜/晶體生長)
產品特點:
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工藝片尺寸 2/4英寸(1片/3片)
l 使用溫度最高1200℃,控溫精度±1℃
l 溫區五溫區
l 襯底可采用旋轉方式,速度1~50轉/分鐘
l 氣體采用進口質量流量計控制
l 極限真空度≤1Pa
l 氣路系統漏氣率<2×10-9m3.Pa/S
l 襯底升降速率0.01~700mm/h連續可調