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PVT晶體生長爐

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PVT晶體生長爐
簡介 : 本設備主要用于SIC、ALN單晶材料的生長
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產品詳情

本設備主要用于SIC、ALN單晶材料的生長


簡述:

1. 采用高溫加熱,使原材料在高溫融化

2. 各操作參數可通過顯示屏控制

3. 本設備具有各種連鎖及安全保護措施,如水溫報警、過流報警等

產品特點:

l 溫度最高可達2600℃

l 旋轉速度實時顯示

l 加熱器功率實時顯示,定時采樣,顯示功率曲線

l 極限真空生長腔極限真空 ≤ 5x10 -5 pa

l 停泵關閥生長腔壓升率 ≤5pa/12h;

l 壓力控制精度:±5pa(在 100~1500Pa 范圍內

l 設備整體的控溫±1℃。