產品介紹：

Na助溶劑液相外延生長2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體。采用內加熱方式，**使用溫度1300℃，常規工作溫度700-1000℃，碳棒加熱，采用進口溫控表控制，爐內溫度公差小于±1℃；最低真空壓力10 Pa，最高壓力20 MPa，常規使用壓力3-7 MPa，壓力腔體外部有水冷，保證安全可靠。設置有氮氣和氬氣進氣口和排氣口，腔體內壓力由高精度比例氣壓閥自動控制，腔室采用316不銹鋼材料制作。底部裝料，腔室通過膠圈密封，自動絲杠調節升降，裝取料方便快捷，晶體生長效率高!