采用VB法生長晶體材料，應用于鍺單晶、砷化鎵、磷化銦等化合物晶體的生長工藝。
■主要技術指標
◆結構型式：立式，（可旋轉移動）
◆適合2~6'' 晶體生長工藝（可定制）
◆爐體有效加熱長度：1200min
◆最高工作溫度：1300℃
◆恒溫區精度（靜態閉管）：±0.5℃
◆升溫速率（室溫~1260℃）：斜變升溫速率可控在0~15℃/min
◆降溫（1260℃~900℃）：0~5℃/min
◆供電電源：三相五線 380V±5%，50~60Hz
