采用VB法生長晶體材料,應用于鍺單晶、砷化鎵、磷化銦等化合物晶體的生長工藝。
■主要技術指標
◆結構型式:立式,(可旋轉移動)
◆適合2~6'' 晶體生長工藝(可定制)
◆爐體有效加熱長度:1200min
◆最高工作溫度:1300℃
◆恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃
◆升溫速率(室溫~1260℃):斜變升溫速率可控在0~15℃/min
◆降溫(1260℃~900℃):0~5℃/min
◆供電電源:三相五線 380V±5%,50~60Hz